[发明专利]一种碳基芯片特碳材料的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202010543235.0 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111875379B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 张战;张倩楠 申请(专利权)人: 深圳市赛普戴蒙德科技有限公司
主分类号: C04B35/52 分类号: C04B35/52;C04B35/622;C04B35/645;H01L29/16
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 刘芙蓉;刘文求
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种碳基芯片特碳材料的制备方法及应用。其中,所述碳基芯片特碳材料的制备方法,包括:将原料压制成有机块状物,按重量份计,所述原料包括:有机物焦化粉40~95份、有机物气流磨粉60~5份、有机成型剂10~20份;将所述有机块状物进行热压烧结,得到碳素块;将碳素块进行回火处理,得到碳基芯片特碳材料。本发明通过热压烧结使有机块状物脱去氧、氢等元素,保留碳元素,从而得到碳素块;再通过将碳素块进行回火处理,使所述碳素块石墨化,得到极高纯度的碳基芯片特碳材料。
搜索关键词: 一种 芯片 材料 制备 方法 应用
【主权项】:
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