[发明专利]漂移探测器及其加工方法有效

专利信息
申请号: 202010543801.8 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111584656B 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 姜帅;贾锐;陶科;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18;G01T1/24
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 张通
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法,漂移探测器包括:衬底;设置在所述衬底两个表面上,用于使所述衬底上形成漂移区的漂移电极;以及贯穿所述衬底的集电电极;所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。因为集电电极贯穿衬底设置,所以电子在移动至集电电极区域后可以立即被收集,无需在垂直于衬底表面方向漂移。相比于现有结构的漂移探测器,本说明书提供的漂移探测器无需设置前述的反向偏压,也就避免了因为现有技术中反向偏压设置不合理造成的电子损失的问题。
搜索关键词: 漂移 探测器 及其 加工 方法
【主权项】:
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