[发明专利]漂移探测器及其加工方法有效
申请号: | 202010543801.8 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111584656B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 姜帅;贾锐;陶科;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18;G01T1/24 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 张通 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法,漂移探测器包括:衬底;设置在所述衬底两个表面上,用于使所述衬底上形成漂移区的漂移电极;以及贯穿所述衬底的集电电极;所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。因为集电电极贯穿衬底设置,所以电子在移动至集电电极区域后可以立即被收集,无需在垂直于衬底表面方向漂移。相比于现有结构的漂移探测器,本说明书提供的漂移探测器无需设置前述的反向偏压,也就避免了因为现有技术中反向偏压设置不合理造成的电子损失的问题。 | ||
搜索关键词: | 漂移 探测器 及其 加工 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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