[发明专利]一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法在审
| 申请号： | 202010544310.5 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111574690A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 冯旗 | 申请（专利权）人： | 冯旗 |
| 主分类号： | C08G61/02 | 分类号： | C08G61/02;H01L51/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 332600 江西省九江市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属有机发光显示领域，特别涉及一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法。本发明提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物，其结构如式(I)所示。本发明还提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物的制备方法，包括将式(II)所示化合物和2,2'‑(9,9‑二辛基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂硼烷)通过Suzuki偶联反应制得式(I)所示聚合物。本发明提供的一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法，解决了现有的PLED器件空穴迁移率较低的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 空穴 迁移率 pled 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冯旗，未经冯旗许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010544310.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高精度多工位螺母铆压机
- 下一篇：一种主机、主机与导光部的连接结构及控制方法
