[发明专利]一种MOS器件的建模方法在审
| 申请号： | 202010544333.6 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111914505A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件的建模方法，包括如下步骤：S01：构建MOS器件的模型电路，其中，模型电路中包括本征晶体管，衬底寄生电阻、寄生电容、寄生二极管、栅极寄生电阻电感网络、源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络；S02：确定模型电路中的本征晶体管和寄生二极管的模型及尺寸参数；S03：采用电磁仿真方法分别确定源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络的寄生元件值；S04：基于测试数据确定衬底寄生电阻、寄生电容和栅极寄生电阻电感网络的寄生元件值；S05：将计算出来的寄生元件值代入模型电路。本发明模型电路包括各连接通路的寄生电阻电感网络，该模型适用范围更广，可适用于毫米波等频段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010544333.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
