[发明专利]金红石二氧化钛单晶薄膜-衬底材料异质结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010545318.3 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111725298B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 马钰洁 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/18 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 518118 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金红石二氧化钛单晶薄膜‑衬底材料异质结构及其制备方法，该结构为由亚微米厚度的金红石二氧化钛单晶薄膜(2)与二氧化硅衬底层(3)构成的异质结构，还包括在二氧化硅衬底层(3)下方的第一、第二粘合层(41)、(42)、位于第一、第二粘合层(41)、(42)之间的铜锡化合物键合层(7)以及位于第二粘合层(41)下方的金红石二氧化钛单晶块体(8)。本发明所制备的金红石二氧化钛单晶薄膜‑衬底材料异质结构不仅拥有具备良好单晶性的金红石二氧化钛薄膜，而且可以根据应用需求选择合适的衬底材料制备出多种异质结构，克服了外延生长方法对单晶薄膜异质结构制备面临的困难，为金红石二氧化钛薄膜在光电器件的应用打下基础。 | ||
| 搜索关键词： | 金红石 氧化 钛单晶 薄膜 衬底 材料 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳技术大学，未经深圳技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010545318.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种净化带粉尘空气的方法
- 下一篇：一种净化带粉尘空气的装置
- 同类专利
- 专利分类
