[发明专利]一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管在审
| 申请号： | 202010546031.2 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111883577A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王曦;张萌;蒲红斌;杨迎香;钟艺文 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管，包括材料为n型SiC的衬底，衬底一面依次外延有缓冲层、漂移区、沟道扩展区，沟道扩展区上开设多个剖面呈矩形的阳极沟槽，每个阳极沟槽侧壁和底端均外延p+结区，沟道扩展区上最高面外延p型接触区，p+结区、p型接触区上覆盖连接欧姆接触阳极，衬底另一面覆盖连接欧姆接触阴极；本发明一种SiC耐高压抗浪涌pn结单极二极管通过在沟道区与阳极之间设置超薄p型接触区，避免了传统碳化硅单极二极管需要同时兼顾阳极与p型、n型碳化硅之间的接触问题，简化了电极制作工艺，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 高压 浪涌 pn 单极 二极管 | ||
【主权项】：
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