[发明专利]多沟槽式萧特基二极管在审
| 申请号： | 202010547068.7 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809144A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡宜龙;赛德·萨瓦·伊玛目;庄曜维;董铭楼 | 申请（专利权）人： | 台湾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多沟槽式萧特基二极管，包含一半导体基层、一背金属层、一外延层、一层间介电层、一第一金属层、一钝化层与一第二金属层。其中，外延层堆叠于半导体基层，包含一终端沟槽结构、一第一沟槽结构、一第二沟槽结构及一第三沟槽结构。层间介电层是在一终端区内堆叠于外延层。第一金属层堆叠于终端沟槽结构与层间介电层，并延伸至第二沟槽结构与第三沟槽结构之间。钝化层堆叠于第一金属层与层间介电层。第二金属层堆叠于第一金属层与钝化层，并延伸至第一沟槽结构处。通过在终端区设置多个沟槽结构，可以有效的分散电场并避免崩溃电压过早发生。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 式萧特基 二极管 | ||
【主权项】：
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