[发明专利]预热装置及预热方法有效
申请号: | 202010547101.6 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN111725100B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | 程旭文 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/324 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种预热装置及预热方法,预热装置包括预热腔、加热部和红外测温部,所述预热腔用于容纳所述被加热件,所述预热腔的顶部设有测温窗;所述红外测温部设置于所述预热腔之外,所述红外测温部与所述预热腔活动连接;在对所述被加热件预热前或进行预热时,所述红外测温部位于第一位置,所述红外测温部通过所述测温窗测量位于所述预热腔内的所述被加热件的温度;在所述被加热件的温度满足目标温度的情况下,所述红外测温部位于第二位置,所述红外测温部避让所述测温窗。上述技术方案提供的预热装置可以解决目前晶圆在预热过程中预热精度较低,且一旦目标温度发生变化,预热操作过程较为繁琐的问题。 | ||
搜索关键词: | 预热 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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