[发明专利]一种半导体圆硅片环状层错的测试方法在审
| 申请号： | 202010548224.1 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111781204A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 由佰玲;原宇乐;周迎朝;邓春星;董楠;武卫;刘建伟;刘园;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;孙晨光;王彦君;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N21/95;G01N21/84;G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34;G01N1/44 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种半导体圆硅片环状层错的测试方法，步骤包括：在圆硅片平面上选择若干组径向对称的测试点；对圆硅片与测试点对应的位置进行微缺陷颗粒分析，每组测试点所对应的微缺陷颗粒数量一致或一差值，其中，位于对应微缺陷颗粒数量最多的一组测试点的位置之间且对应微缺陷颗粒数量较少的相邻若干组测试点的位置均在圆硅片的环状层错位置上；位于对应微缺陷颗粒数量最多的一组测试点的位置之间并以微缺陷颗粒数量较少的相邻若干组测试点的位置为半径画圆所围成的环形区域即为环状层错。本发明采用物理测试方法极易判断并可精确表征硅片中OISF的具体位置，尤其是宏观位置判定更加精确，简化了检测步骤且缩短了检测时间，环保且测试效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 环状 测试 方法 | ||
【主权项】：
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