[发明专利]一种高功率、低漏电的Sense-Switch型pFLASH单元结构在审
| 申请号： | 202010548495.7 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111668223A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 宋思德;刘国柱;张海良;施辉;吴建伟;洪根深;贺琪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;G11C16/04 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高功率、低漏电的Sense‑Switch型pFLASH单元结构，属于Flash型开关单元技术领域。在衬底上设置有深N阱；编程/擦除管T1的有源区和信号传输管T2的有源区制作在深N阱内；深N阱上依次设有隧道氧化层、浮栅多晶层、IPD多晶间介质层和控制栅多晶层；控制栅多晶层的外侧设有侧墙；深N阱上设有ILD介质层，ILD介质层上设有金属层；隧道氧化层外围设有SAB介质层，内填充有金属硅化物，在金属硅化物上方设有贯穿ILD介质层的通孔连接结构，金属层通过通孔连接结构和金属硅化物与编程/擦除MOS管T1和信号传输管T2欧姆接触。本发明能够降低Flash型FPGA中Flash基本单元的静态漏电水平，并且提高其电流传输能力，为低漏电、高输出功率的Flash型FPGA的研制提供一种新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 漏电 sense switch pflash 单元 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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