[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010549480.2 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN112039469A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 黄河 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 张立君
地址: 201210 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种薄膜体声波谐振器的制造方法,包括提供临时衬底;在临时衬底上形成压电层;在压电层上形成第一牺牲凸起;在压电层和第一牺牲凸起上形成包括第一电极谐振部和第一电极引出部的第一电极;在压电层上形成包括第一空腔的第一衬底;去除临时衬底;在压电层上形成第二牺牲凸起;在压电层和第二牺牲凸起上形成包括位于有效谐振区的第二电极谐振部和第二电极引出部的第二电极;第一电极谐振部和第二电极谐振部位于第一空腔内;去除第一牺牲凸起和第二牺牲凸起,分别形成第一空隙和第二空隙。本发明能够达到消除有效谐振区边界杂波的效果,进而提升谐振器的Q。
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器 制造 方法
【主权项】:
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