[发明专利]基于离子植入的垂直腔表面发射激光器、阵列和制作方法在审
| 申请号： | 202010551420.4 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111446620A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 方照诒;郭浩中;潘德烈 | 申请（专利权）人： | 北京金太光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 李佳佳 |
| 地址： | 100006 北京市东城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于离子植入的垂直腔表面发射激光器、阵列和制作方法，所述垂直腔表面发射激光器包括多层结构，所述多层结构至少依次包括基底（10）、基底（10）上方的第一镜层（20）、第一镜层（20）上方的主动区（30）以及主动区（30）上方的第二镜层（40），所述垂直腔表面发射激光器还包括：离子层（60），离子层（60）是将离子从第二镜层（40）的上表面植入到主动区（30）的上方或者植入到主动区（30）中或者贯穿主动区（30）植入到第一镜层（20）中而形成用于隔离的离子层，离子层（60）用于将垂直腔表面发射激光器隔离成外区（81）和由离子层（60）包围的内区（82）。通过本发明可以精确地限定谐振腔内的光射出的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 植入 垂直 表面 发射 激光器 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
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