[发明专利]一种提高硅片倒角宽幅精度的方法有效

专利信息
申请号: 202010551619.7 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN111761420B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 卢运增;贺贤汉;洪漪;王庆荣 申请(专利权)人: 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24B9/06;B24B41/02;B24B41/06;B24B47/12
代理公司: 上海申浩律师事务所 31280 代理人: 赵建敏
地址: 200444 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本发明公开了一种提高硅片倒角宽幅精度的方法,在进行研削台更换或者重新安装时,对研削台精度进行达标确认;所述研削台在硅片倒角加工时用于吸着硅片;所述研削台精度确认方法,具体步骤如下:步骤一、将MINNCOM的探头固定在研削台表面临近外周边缘处,进行位置调零;步骤二、将研削台旋转一周,采用MINNCOM的探头收集研削台整圈面振和芯振情况数据;步骤三、当MINNCOM的探头数据大于等于10um时,进行研削台水平的调整;当MINNCOM的探头数据全部在10um以下,说明研削台安装精度达标;通过此专利的开发与应用,确保研削台安装后面振、芯振控制在10um以下,有效的解决了因研削台安装而导致硅片加工宽幅不良问题。
搜索关键词: 一种 提高 硅片 倒角 宽幅 精度 方法
【主权项】:
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