[发明专利]功率半导体模块衬底及其所应用的功率半导体设备在审
| 申请号： | 202010553174.6 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111682021A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;周宇;高洪艺;李永皓;夏雨昕;孙欣楠;沈捷;李武华 | 申请（专利权）人： | 上海临港电力电子研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 冯振华 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种功率半导体模块衬底及设备，属于半导体技术领域。其中功率半导体模块衬底包括的第一桥臂单元包括：衬底基底，以及设置于衬底基底上的沿第一方向依次设置的第二功率金属敷层、第一功率金属敷层和第三功率金属敷层；第一功率金属敷层的靠近第二功率金属敷层的一侧设有沿第二方向延伸的第一镂空结构，第三功率金属敷层的远离第一功率金属敷层的一侧设有沿第二方向延伸的第二镂空结构，第一辅助金属敷层设置于第一镂空结构内，第二辅助金属敷层设置于第二镂空结构内。这样，功率半导体模块衬底的布局紧凑合理，保证了电流分布的均匀，均衡半导体芯片之间的杂散参数，均衡信号端子到各芯片控制电极之间的距离和杂散参数。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 衬底 及其 应用 半导体设备 | ||
【主权项】：
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