[发明专利]一种复合单晶压电基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202010555085.5 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111755588A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;张秀全;李洋洋;张涛;王金翠 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/04 | 分类号： | H01L41/04;H01L41/312;H03H3/02;H03H9/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种复合单晶压电基板及其制备方法，所述复合单晶压电基板包括依次叠加的衬底层、损伤层、二氧化硅层和单晶压电层，其中，所述损伤层包覆于所述衬底层内部，并且，损伤层‑二氧化硅层的界面与衬底层‑二氧化硅层的界面共面，所述结构损伤由激光刻蚀形成，能够捕获载流子，从而削弱甚至消除信号损耗，本申请提供的方法首先在衬底层上利用热氧化的方法制备二氧化硅层，再通过激光刻蚀的方法在衬底层‑二氧化硅层界面处制备损伤层，并使所述损伤层完全位于衬底层中，将热氧化步骤设置于制备损伤层之前，能够有效避免热氧化工艺对损伤层中损伤的恢复，从而保证损伤层具有较高的捕获载流子的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 压电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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