[发明专利]一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010555941.7 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111668210A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张富生;许成宗;韩业星 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例一种单向高电压瞬态电压抑制保护器件，包括：一个第一导电类型的衬底；一个第二导电类型的第一外延层，第一外延层形成在衬底顶面上方；一个第二导电类型的半导体层，半导体层为形成于第一外延层顶面中的阱区或形成于第一外延层顶面上方的第二外延层；一组形成在半导体层顶面中的第二导电类型的第一注入区和第一导电类型第二注入区，第一注入区形成于第二注入区的外围，第一注入区和第二注入区之间水平间隔预定距离；一个位于第一注入区外围第一隔离槽，第一隔离槽形成于衬底、第一外延层和半导体层中，且在第一隔离槽中填充有绝缘材料。本发明实施例提供瞬态电压抑制保护器件的单向高工作电压瞬态电压抑制保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 电压 瞬态 抑制 保护 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海韦尔半导体股份有限公司，未经上海韦尔半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010555941.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
