[发明专利]一种全光二极管及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010556916.0 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN113820789B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 王迎威;王一多;肖思;何军 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | G02B6/27 | 分类号: | G02B6/27;G02F1/35 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 蒋太炜 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种全光二极管及其制备方法和应用。所述全光二极管中含有二维层状材料Mxenes层、纳米氧化锌层和衬底;所述纳米氧化锌层附着在衬底上,所述二维层状材料Mxenes层附着在纳米氧化锌层上。本发明所设计的全光二极管,光从该二极管的正向和反向入射时其透过率改变了32%,实现了在光在传播方向上的非互易性传播即对输入光达到正向导通,反向截止的效果。本发明通过涂覆的方法实现了全光二极管的制备。本发明所设计和制备的全光二极管具有高单向透射率、光损伤阈值高、对工作环境要求低、非常好的光的非互易性传播特性、工作波段可调等诸多优点。同时所得全光二极管稳定性好,在光子芯片和全光网络通信中具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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