[发明专利]一种全光二极管及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010556916.0 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN113820789B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 王迎威;王一多;肖思;何军 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: G02B6/27 分类号: G02B6/27;G02F1/35
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 蒋太炜
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种全光二极管及其制备方法和应用。所述全光二极管中含有二维层状材料Mxenes层、纳米氧化锌层和衬底;所述纳米氧化锌层附着在衬底上,所述二维层状材料Mxenes层附着在纳米氧化锌层上。本发明所设计的全光二极管,光从该二极管的正向和反向入射时其透过率改变了32%,实现了在光在传播方向上的非互易性传播即对输入光达到正向导通,反向截止的效果。本发明通过涂覆的方法实现了全光二极管的制备。本发明所设计和制备的全光二极管具有高单向透射率、光损伤阈值高、对工作环境要求低、非常好的光的非互易性传播特性、工作波段可调等诸多优点。同时所得全光二极管稳定性好,在光子芯片和全光网络通信中具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 二极管 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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