[发明专利]基于原位钝化及氧化工艺的GaN器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010556931.5 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111463129B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 马飞;冯光建;陈桥波 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于原位钝化及氧化工艺的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延结构，外延结构包括GaN沟道层，外延结构具有位于最上层的顶部功能层，在沉积腔室中于顶部功能层表面沉积外延补充层，外延补充层的材料与顶部功能层的材料相同，在外延补充层上原位沉积栅氧介质层。本发明通过外延补充层的沉积，利用栅氧介质层原位沉积，实现了外延补充层/栅氧介质层原位优质界面，改善了栅氧介质层的膜层质量，减少了界面缺陷，优化了器件性能。可以实现更少的正固定电荷，更低的泄漏电流以及更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 原位 钝化 氧化 工艺 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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