[发明专利]一种低位错、高电子迁移率GaInSb晶体制备方法在审
| 申请号： | 202010557115.6 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111778554A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘俊成;刘强;李响;何国芳;韩银峰;张建平;汪如卿 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B11/00;C30B30/04;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低位错、高电子迁移率GaInSb晶体制备方法。将Ga、In、Sb三种单质元素按照一定的化学摩尔配比进行配料，再经过后期的装料、封管、多晶料的合成之至最后的晶锭生长完成，即可得到最终的GaInSb晶体。针对掺入In元素所生长的GaInSb晶体，维持了GaSb晶体的闪锌矿晶体结构，In元素通过进入Ga的空位和取代Ga的位置，呈现出更好的组织结构均匀性，改变了GaSb晶体的载流子类型，使初始的p型GaSb晶体转变为n型的GaInSb晶体，从而使GaInSb晶体的禁带宽度、位错密度、晶格常数和电学性能随之改善。本发明采用垂直布里奇曼法(VB)进行GaInSb晶体的生长，该法机械化程度高，操作简单，所生长的晶体质量高且晶体尺寸较大，更宜于后期规模化的工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低位 电子 迁移率 gainsb 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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