[发明专利]一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构在审
| 申请号： | 202010557333.X | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111916495A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 郑婷婷;李宇柱;李伟邦;骆健;董长城;叶枫叶 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L20；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整的接触窗口，另外接触窗口避开了虚拟沟槽的末端，使得刻蚀接触窗口时不会出现破坏虚拟沟槽结构的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 芯片 有源 边缘 结构 | ||
【主权项】：
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