[发明专利]一种二维AlN/GaN HEMT射频器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010557522.7 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111785783A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李国强;孙佩椰;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种二维AlN/GaN HEMT射频器件及其制备方法，包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiN |
||
| 搜索关键词： | 一种 二维 aln gan hemt 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010557522.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
