[发明专利]一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构有效
| 申请号： | 202010557666.2 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111672808B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王作义;吕晓东 | 申请（专利权）人： | 上海广奕电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67;F26B5/14;F26B25/00 |
| 代理公司： | 北京唯智勤实知识产权代理事务所(普通合伙) 11557 | 代理人： | 陈佳 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构，包括上料箱，所述上料箱的内腔设置有送料机构，所述上料箱左侧的内腔设置有导料机构一，所述送料机构包括开设在上料箱内腔前侧和后侧的两个导向滑槽。本发明通过送料机构和导料机构一的配合使用，将上料箱内腔中的硅片传递至清洗箱的内腔进行清洗，最终通过擦拭机构的设置，对硅片进行擦拭，即可达到自动上料、清洗全面和自动擦拭脱水的目的，该ICP等离子体刻蚀用清洗机构，解决了现有的对硅片的清洗方式，大多通过人工对硅片表面进行简单的擦拭，此种清洗的方式，清洗效果较差，人工对硅片表面进行擦拭存在较大的遗漏风险，且人工擦拭效率低，费时费力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 icp 等离子体 刻蚀 清洗 机构 | ||
【主权项】：
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