[发明专利]具有对存储元件的写入故障保护的非易失性存储器阵列在审
| 申请号： | 202010558036.7 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113448765A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | T.T.埃力亚什;A.巴扎斯基 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F11/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于具有单层级单元(SLC)层和例如三层级单元(TLC)层等多层级单元(MLC)层的非易失性存储器(NVM)阵列的方法和设备提供耦合SLC/MLC写入操作，其中SLC写入保护被组合成MLC写入流。在说明性实例中，将数据并行写入到SLC和TLC。所述SLC数据为所述TLC数据提供备份，以防所述TLC数据有缺陷。使用例如写入检验来检验所述TLC数据。如果成功地检验所述数据，则可以擦除或另外用新数据来覆写SLC块。如果未成功检验所述数据，则所述SLC块可以用于恢复所述数据以存储在不同TLC块中。可以结合快速通过写入(QPW)来执行所述耦合SLC/MLC写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 元件 写入 故障 保护 非易失性存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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