[发明专利]一种具有高磁热效应的钆基框架配位材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010558298.3 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111647163A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 胡鹏;姬柳迪;朱晓明;李泽宇;王军涛 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;H01F1/42 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 437000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有高磁热效应的钆基框架配位材料及其制备方法。一种具有高磁热效应的钆基框架配位材料，其分子式为[(CH |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 热效应 框架 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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