[发明专利]半导体元件和功率放大装置在审
| 申请号： | 202010558348.8 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112104332A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 小屋茂树;梅本康成;大部功;近藤将夫;斋藤祐一;筒井孝幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F3/68;H03F3/19;H03F1/30;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了能够提高散热特性的半导体元件和功率放大装置。半导体元件具有：半导体基板；第一放大器和第二放大器，被设置于半导体基板，在第一方向上相邻；第一基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，连接第一放大器和基准电位；第二基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，在第一方向上与第一基准电位凸块相邻，连接第二放大器和基准电位；以及矩形状凸块，被设置于半导体基板的主面，在俯视时，该矩形状凸块被设置于第一基准电位凸块与第二基准电位凸块之间，与第一方向正交的第二方向的第二宽度比第一方向的第一宽度大，矩形状凸块的第二宽度比第一基准电位凸块和第二基准电位凸块中的至少一方的第二方向的宽度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 功率 放大 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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