[发明专利]一种新型多层隧穿结及其在双结叠层电池的应用

摘要

本发明涉及一种新型多层隧穿结及其在双结叠层电池，包括：晶硅衬底、第一超薄介质层、第一层重掺杂硅薄膜、第二超薄介质层和第二层重掺杂硅薄膜；在新型多层隧穿结内部，从上至下依次为:第二层重掺杂硅薄膜、第二超薄介质层、第一层重掺杂硅薄膜、第一超薄介质层和晶硅衬底；所述晶硅衬底为n型晶体硅或p型晶体硅。本发明的有益效果是：基于硅衬底‑介质层‑第一层硅薄膜的结构是一种名为钝化隧穿的晶硅电池技术。该技术具有良好的硅片表面钝化效应和载流子收集效应，采用该钝化接触结构可以实现全表面的载流子收集，无需借助金属电极，从而使得整个硅片表面的载流子复合速率非常低。