[发明专利]垂直场效应晶体管器件和制造其的方法在审
| 申请号： | 202010558377.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103248A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 金善培;全辉璨;金旻奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了垂直场效应晶体管(VFET)器件及其制造方法。该用于制造VFET器件的方法可以包括：提供中间VFET结构，其包括衬底、形成在衬底上的多个鳍结构以及在鳍结构之间形成在衬底上的掺杂层，掺杂层包括底部源极/漏极(S/D)区域；在衬底的顶表面之下并且在鳍结构之间穿过掺杂层和衬底形成浅沟槽，以使鳍结构彼此隔离；用绝缘材料填充浅沟槽和在鳍结构之间的空间；蚀刻除了在浅沟槽中以外在掺杂层的顶表面的高度之上填充在鳍结构之间的绝缘材料，使得具有处于掺杂层的顶表面的高度处或之上的顶表面的浅沟槽隔离(STI)结构形成在浅沟槽中；分别在鳍结构上形成栅极结构；以及在鳍结构之上形成顶部S/D区域。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
