[发明专利]辅助图形嵌入方法及嵌入模块在审
| 申请号： | 202010558774.1 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111766760A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张国乾;胡展源;曾鼎程 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G06F30/392 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辅助图形嵌入方法，其用于光刻掩膜版制造，包括识别设计规则中的主要图形，所述主要图形是光刻掩膜版上用于形成器件功能区的图形；将小于预设Pitch阈值的主要图形拟合形成主要图形虚拟合集；根据设计规则在主要图形虚拟合集旁侧嵌入辅助图形，所述辅助图形是集成电路生产过程中的辅助透光图形。将图形虚拟合集恢复为主要图形，完成辅助图形嵌入。本发明还公开了一种辅助图形嵌入模块。本发明能提高光刻掩膜版辅助图形嵌入计算效率和嵌入计算精度。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 图形 嵌入 方法 模块 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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