[发明专利]聚偏氟乙烯基导电复合材料及PTC元件有效
| 申请号： | 202010559011.9 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112210176B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 曹清华;赵鑫建;郁益根;赵电;刘正平;黄定兵;吴国臣;张伟 | 申请（专利权）人： | 上海维安电子有限公司 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08L27/18;C08K3/04;C08J3/24;C08J3/28;H01C7/02 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 200083 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚偏氟乙烯基导电复合材料及PTC元件。所述的聚偏氟乙烯基导电复合材料，以聚偏氟乙烯(PVDF)基体，具有正温度系数（PTC）效应，环境温度25℃下的电阻率不大于10Ω.cm，包含：所述的PVDF为第一组分聚合物，占所述聚偏氟乙烯基导电复合材料的体积分数的20~70%；预先辐照交联的含氟聚合物，体积分数在1~20%；导电填料，体积分数在25~80%。本发明还包括利用所述聚偏氟乙烯基导电复合材料制备的PTC元件及其制备方法。由本发明聚偏氟乙烯基导电复合材料制备的PTC元件具有突出的电阻再现性，良好的耐电压性能和环境可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 聚偏氟 乙烯基 导电 复合材料 ptc 元件 | ||
【主权项】：
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