[发明专利]基于高功能密度硅通孔结构的三维电容电感及制备方法有效
| 申请号： | 202010561660.2 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111769095B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于高功能密度硅通孔结构的三维电容电感及制备方法。本发明三维电容电感包括：衬底，形成有硅通孔；三维电容，形成在所述硅通孔的侧壁上，依次包括第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；三维电感，由所述硅通孔的中心填充金属和平面厚金属再布线构成；其中，所述硅通孔的侧壁与所述三维电容之间设有第一绝缘层，所述三维电容与所述三维电感之间设有第三绝缘层。本发明能够有效增加集成系统中电容和电感的值，同时能够在三维集成中将电容电感集成在芯片附近，也能提高三维集成中硅通孔的功能密度，提高系统集成中硅的利用率。与其他有机基板上的离散电容电感相比，集成度大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 功能 密度 硅通孔 结构 三维 电容 电感 制备 方法 | ||
【主权项】：
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