[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010562496.7 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN112110409A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 杨基业;柳坤汉;尹锡勋;波拉·巴洛格鲁;邱翰;拉马肯斯·阿拉帕蒂 申请(专利权)人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H01L25/00
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 半导体装置以及制造半导体装置的方法。一种半导体装置,其包括:第一电子装置,所述第一电子装置包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;以及阻挡件,所述阻挡件耦合到所述第一电子装置的所述第二表面并且包括:第一膜,所述第一膜包含:第一阻挡体;以及第一阻挡线股,所述第一阻挡线股由所述第一阻挡体界定并且限定第一穿孔,其中至少一个第一穿孔具有一对邻近的第一阻挡线股之间的第一尺寸;以及减小结构,所述减小结构耦合到所述第一膜以减小所述第一尺寸。本文还公开了其它实例和相关方法。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安靠科技新加坡控股私人有限公司,未经安靠科技新加坡控股私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010562496.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top