[发明专利]一种肖特基二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202010562600.2 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN111540788A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郑军;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种肖特基二极管及制备方法，该肖特基二极管包括：氧化镓衬底、欧姆接触电极、氧化镓漂移层和肖特基接触电极；氧化镓漂移层包括重掺杂氧化镓和半绝缘氧化镓；氧化镓衬底上由左至右设置有欧姆接触电极、重掺杂氧化镓、半绝缘氧化镓和肖特基接触电极。本发明实施例由于欧姆接触电极和肖特基接触电极位于同一平面上，当将电压加载在两个接触电极之间时，将形成沿水平方向的电场，使得肖特基二极管的工作方式为水平工作，实现了无需采用复杂的外延工艺，便可获得高质量的氧化镓漂移层，工艺重复性好，非常适用于大规模生长制备，并且可在高压条件下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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