[发明专利]一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法有效

专利信息
申请号: 202010562935.4 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111697116B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 王文杰;谢武泽;徐哲;周阳 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;B82Y20/00;H01L33/00;H01L33/24
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 蒋斯琪
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法,通过在衬底上逐层形成缓冲层、N型层、量子阱层、P型层和微结构增透层,然后在P型层和微结构增透层上形成透明导电层,微结构增透层为TiO2,或TiO2/SiO2复合膜,或TiO2/SiO2多层膜;通过利用TiO2对可见光高透且良好的化学稳定性,利用低折射率的SiO2与高折射率的TiO2材料进行膜层结构光学设计与分析,在达到折射率要求的同时,兼顾透射率的要求,结合微纳模板及刻蚀技术在表面形成内嵌式微纳结构增透层,再覆盖兼具电流扩展及增透作用的透明导电层,制备得到的LED,其表面光提取效率大大提升,发光效率明显改善。
搜索关键词: 一种 表面 内嵌微纳 结构 增透层 可见光 led 芯片 制备 方法
【主权项】:
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