[发明专利]三维存储器及制备方法、电子设备

摘要

本申请提供了三维存储器及制备方法、电子设备。其中制备方法包括提供衬底，形成覆盖衬底的牺牲层。形成覆盖牺牲层的第一保护层。形成覆盖第一保护层的叠层结构。形成贯穿叠层结构、第一保护层、以及牺牲层的NAND串，NAND串包括沟道层、以及设于沟道层周缘的存储器层。形成贯穿叠层结构以及第一保护层的栅缝隙。去除牺牲层以形成空隙。去除位于空隙内的部分存储器层，以露出沟道层。在空隙内形成第一半导体材料层。通过形成覆盖牺牲层的第一保护层后，再形成覆盖第一保护层的叠层结构。这样在后续去除存储器层时可利用第一保护层来防止绝缘层被消耗，保证绝缘层厚度的均匀性，改善底部选择栅极电学性能的稳定性，提高三维存储器的质量。