[发明专利]一种钽铌酸钾单晶基片元件的加工制作方法有效

专利信息
申请号: 202010563920.X 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111775354B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 王旭平;吴丰年;陈芙迪;邱程程;刘冰;张飞;杨程凯 申请(专利权)人: 山东省科学院新材料研究所
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B28D5/04;B28D5/02;B28D7/00;B28D7/04;B24B1/00;B24B37/24;H01S3/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250014 山东省济南市历*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种可定制高精度钽铌酸钾(KTa1‑xNbxO3;0≤x≤1,简称KTN)单晶基片元件的加工制作方法,属于人工晶体及玻璃材料的加工制备领域,方法主要包括针对KTN系列晶体的定向、切割、组方、研磨、抛光及卸盘。本发明为KTN单晶基片元件制作提供完备方案,可为KTN晶体用作光波导、光开关、偏转器等电光调制元件,以及衬底基片材料提供样品基础。
搜索关键词: 一种 钽铌酸钾单晶基片 元件 加工 制作方法
【主权项】:
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