[发明专利]激光晶化装置在审
| 申请号： | 202010564149.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112802774A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 三宫晓史;柳济吉;韩圭完;李惠淑;崔银善 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 崔今花;周艳玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例的激光晶化装置可包括：激光发生部，用于输出第一激光束和第二激光束；匀化部，用于接收由所述激光发生部输出的所述第一激光束和所述第二激光束并使之匀化；光学系统，用于接收经过所述匀化部的所述第一激光束和所述第二激光束并使之光转换；以及基板收容部，用于收容所述光转换后的所述第一激光束和所述第二激光束所照射的基板，所述第一激光束和所述第二激光束具有长轴和短轴，所述第一激光束和所述第二激光束可以以在沿所述长轴的方向上具有不同入射角度的方式被输入到所述匀化部。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 化装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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