[发明专利]具有改善栅极漏电流的半导体器件在审
| 申请号： | 202010564680.5 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111682066A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 廖航;赵起越;李长安;王超;周春华;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种具有改善栅极漏电流的半导体器件，其包含：衬底；第一氮化物半导体层，位于衬底上方；第二氮化物半导体层，位于第一氮化物半导体层上方且具有大于第一氮化物半导体者的能隙；及源极接触及漏极接触，位于第二氮化物半导体层上方；经掺杂第三氮化物半导体层，位于第二氮化物半导体层上方及漏极接触和源极接触之间；及栅电极，位于经掺杂第三氮化物半导体层上方；其中在大体上平行于第一氮化物半导体层及第二氮化物半导体层界面的方向上，经掺杂第三氮化物半导体层具有至少一个沿该方向延伸的突出部，从而达成改善栅极漏电流现象的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 栅极 漏电 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司，未经英诺赛科（珠海）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010564680.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
