[发明专利]一种多级片层结构的钴颗粒、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202010565177.1 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111482619B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 温术来;于树永;赵寰宇;范佳斌;卢江 申请(专利权)人: 北京铁路信号有限公司
主分类号: B22F9/24 分类号: B22F9/24;B22F1/068;H05K9/00;B82Y40/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 付丽
地址: 102613 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种多级片层结构的钴颗粒的制备方法,包括以下步骤:A)将钴盐和酒石酸钾钠在溶剂中混合,加入碱性试剂调节pH值至13~14后加入十六烷基三甲基溴化铵,得到反应溶液;所述十六烷基三甲基溴化铵与钴盐的摩尔比为(0.5~0.9):1;B)将所述反应溶液超声并加热至70~90℃,然后加入水合肼,进行还原反应,反应结束后收集生成物,得到钴颗粒。该方法制备出的钴颗粒是由纳米片层组装成的对称双六角棱台的颗粒形貌。作为电磁兼容、电磁屏蔽材料而言,较大的磁性能可对电磁波产生较大的磁损耗,其丰富的界面可对电磁波产生较强的介电损耗,因此在磁损耗及介电损耗的协同作用下,可对电磁波产生较大的衰耗作用。
搜索关键词: 一种 多级 结构 颗粒 制备 方法 应用
【主权项】:
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