[发明专利]一种SHJ太阳电池TCO薄膜表面处理方法有效
| 申请号： | 202010566394.2 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111710759B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 石建华;孟凡英;韩安军;张丽平;刘正新;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/074 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘宏洲 |
| 地址： | 610000 四川省成都市双流区中国(*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SHJ太阳电池TCO薄膜表面处理方法，用于解决现有技术中TCO薄膜与低温银浆接触不好的问题，涉及太阳电池技术领域，包括以下步骤：(1)在硅片的上下表面沉积本征非晶硅或非晶硅氧薄膜；(2)在步骤(1)所得硅片的上下表面分别沉积P型掺杂非晶硅薄膜和N型掺杂非晶硅薄膜，或者在其上下表面沉积非晶硅氧薄膜；(3)将步骤(2)所得硅片的上下表面沉积TCO薄膜；(4)采用等离子体对TCO薄膜进行表面处理，包括粗糙化处理和改性处理；本发明能够使低温银浆与TCO薄膜表面的接触更好，浆料边缘延展量低，浆料体系中的有机物延展小，使SHJ太阳电池的转化效率有效提高，有利于提高规模化生产SHJ太阳电池的稳定性和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 shj 太阳电池 tco 薄膜 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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