[发明专利]一种提升CNFET缓存性能的方法有效
| 申请号： | 202010567436.4 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111880726B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 章铁飞 | 申请（专利权）人： | 浙江工商大学 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 杭州天欣专利事务所(普通合伙) 33209 | 代理人： | 梁斌 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提升CNFET缓存性能的方法，将访问频繁的数据置于延时短的缓存块，将访问不频繁的数据至于延时长的缓存块，提升了性能，降低了能耗。本发明包括如下步骤：将同一缓存组的缓存块分为短延时组和长延时组；采用二进制表示缓存块的实际延时与基本延时单位比值的整数部分；缓存块的命中信号到达延时存储器时，则延时存储器将对应缓存块的延时二进制数值发送到延时控制器，延时控制器将输入的延时二进制数值保存于本地的计时寄存器，以基本延时单位为周期按1递减计时寄存器；加载新数据到缓存时，如果短延时组存在空闲的缓存块，则新数据加载到该空闲的缓存块中；如果短延时组无空闲缓存块，则新数据加载到长延时组的空闲块中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 cnfet 缓存 性能 方法 | ||
【主权项】：
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