[发明专利]倍增寄存器结构以及包括该倍增寄存器结构的EMCCD有效
| 申请号： | 202010567950.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111787247B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 白雪平;杨洪;郑渝;曲鹏程 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/372 | 分类号： | H04N5/372;H01L31/107;H01L31/0352;H01L27/148 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种能够提高EMCCD响应线性度的结构，具体涉及倍增寄存器结构以及包括该倍增寄存器结构的EMCCD；所述倍增寄存器结构，包括衬底和位于衬底之上的埋沟；在埋沟上覆盖有栅介质，在栅介质上形成有第一电极Ф1、第二电极Фdc、第三电极Фem和第四电极Ф3；这四个电极依次对应为第一转移相、直流相、倍增相以及第二转移相；将倍增相对应的埋沟划分为倍增埋沟和电荷埋沟，所述倍增埋沟用于电荷倍增；所述电荷埋沟用于存储倍增后的电荷；本发明提供了倍增寄存器结构以及EMCCD，将倍增寄存器分成两部分，一部分用来倍增，一部分用来存储电荷，这样可以有效避免倍增电场的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 倍增 寄存器 结构 以及 包括 emccd | ||
【主权项】：
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