[发明专利]一种验证金属后腐蚀缺陷的方法在审
| 申请号： | 202010568526.5 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111681968A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郎刚平;信会菊;曾坤;李林;陈宝忠 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种验证金属后腐蚀缺陷的方法，属于半导体集成电路领域，在金属刻蚀完成后将金属裸露放置在FAB环境中，直至金属表面出现腐蚀缺陷，记录金属表面出现腐蚀缺陷的时间，其中，FAB环境的试验参数为，温度21～25℃、湿度40％～50％，风速为0.2～0.4m/s。本方法在半导体集成电路的生产环境中即可实施操作，无需特殊的验证工具，且本发明的验证方法在6小时内即可检测出后腐蚀缺陷，显著缩短了金属后腐蚀缺陷的验证周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 验证 金属 腐蚀 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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