[发明专利]超薄桥和多管芯超细间距贴片架构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010568920.9 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112349677A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | S·加内桑;K·麦卡锡;L·M·特里博莱;D·马利克;R·V·马哈詹;R·L·赞克曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/18;H01L21/98 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括半导体封装和形成该半导体封装的方法。一种半导体封装包括：高密度封装(HDP)衬底上的具有混合层的桥、桥和HDP衬底上方的多个管芯、以及HDP衬底上的多个穿模过孔(TMV)。桥耦合在管芯和HDP衬底之间。桥用混合层直接耦合到管芯中的两个管芯，其中桥的混合层的顶表面直接在管芯的底表面上，并且其中桥的底表面直接在HDP衬底的顶表面上。TMV将HDP衬底耦合到管芯，并且TMV的厚度基本等于桥的厚度。混合层包括导电焊盘、表面抛光和/或电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 管芯 间距 架构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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