[发明专利]双向阈值开关、交叉点存储器设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202010570327.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN113380946A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 郭奕廷;郑怀瑜;龙翔澜;郑政玮 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向阈值开关、交叉点存储器设备及其制造方法，其中双向阈值开关由Si、Ge、Se、As以及特定含量的硫属元素组成，在存在水蒸汽的情况下，所述硫属元素有效地钝化组成物的氧化，其中硫属元素包括但不限于Te、S或其组合。在一或多个实施例中，硫属元素为S。在一或多个实施例中，硫属元素为Te。在一或多个实施例中，按原子百分比计，硫属元素的有效含量大于1％。在一或多个实施例中，按原子百分比计，硫属元素的有效含量小于10％。在一或多个实施例中，按原子百分比计，双向阈值开关包括10％的Si、15％的Ge、40％的Se、30％的As以及5％的硫属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 阈值 开关 交叉点 存储器 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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