[发明专利]一种碳氮掺杂氧化铟半导体光催化材料在制备氢气中的应用方法在审
| 申请号： | 202010570494.2 | 申请日： | 2020-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111871437A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 雷泽霄;毛栋;胡霖;温小菊;邢蓉;孙世新;方东 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/00;B01J37/08;B01J37/10;C01B3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224007 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳氮掺杂氧化铟半导体光催化材料在制备氢气中的应用方法。本发明是由氧化铟前驱体通过简单地水热法和煅烧法衍变制备而成。本发明与现有技术相比，优点为：(1)制备过程只使用水热法和煅烧法，操作过程简单，制备方便，对设备要求低；(2)制备的半导体光催化材料较现有公开报道的其它催化材料的催化效果有明显提升；(3)反应采用去离子水、乙醇、乙二醇作为反应介质，过程安全平稳，无明火、烟雾产生，无三废排放，环境友好且容易工业放大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 半导体 光催化 材料 制备 氢气 中的 应用 方法 | ||
【主权项】：
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