[发明专利]超结器件的制造方法及超结器件有效
| 申请号： | 202010570533.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111540672B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 罗顶;何云;袁家贵;马平 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种超结器件的制造方法及超结器件，所述方法包括：于第一导电类型的外延层的上表面形成图形化掩膜层；基于所述图形化掩膜层刻蚀所述第一导电类型的外延层，以于所述第一导电类型的外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成第二导电类型的外延层并使其上表面低于所述图形化掩膜层的上表面且高于所述第一导电类型的外延层的上表面；热氧化所述图形化掩膜层下方的所述第一导电类型的外延层的上表面以及所述第二导电类型的外延层的上表面，以形成氧化层；去除所述图形化掩膜层和所述氧化层。本申请使得沟槽交界处的上表面弯曲度更小，超结器件的上表面更平坦，在提高了器件可靠性的同时降低了生产成本及工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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