[发明专利]半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备有效
| 申请号： | 202010571846.6 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111719130B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 王馨梦;申震 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C16/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 朱文杰 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备，所述方法包括：基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格的晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。通过本方法，可以提高镀膜工艺的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 镀膜 设备 中的 温度 调整 方法 | ||
【主权项】：
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