[发明专利]一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法在审
申请号: | 202010573036.4 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN111704454A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 苏桦;钟茂峰;唐晓莉;荆玉兰;李元勋 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/64;C04B35/626;C04B35/634 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 闫树平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明属于微波介质材料及其制造领域,具体涉及一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法。本发明材料的化合式为:Zn |
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搜索关键词: | 一种 无助 熔剂 损耗 ltcc 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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