[发明专利]一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010573036.4 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111704454A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 苏桦;钟茂峰;唐晓莉;荆玉兰;李元勋 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/64;C04B35/626;C04B35/634
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于微波介质材料及其制造领域,具体涉及一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法。本发明材料的化合式为:Zn3‑x‑yCoxCuyB2O6(0.05≤x≤0.20,0.02≤y≤0.12),烧结温度825℃~875℃,相对介电常数5.85~6.95,Q×f值63400GHz~165000GHz,谐振频率温度系数‑25ppm/℃~‑70ppm/℃。在本发明中通过Co、Cu离子共替代的方式,将材料体系的烧结温度降低至825~875℃,完全满足LTCC低温烧结的要求,且材料损耗还能够大幅度的下降,材料为纯陶瓷材料,无玻璃助熔剂掺杂,降低了材料制备的成本,同时避免玻璃掺杂带来的损耗增大及LTCC工艺的不兼容问题,具有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 无助 熔剂 损耗 ltcc 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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