[发明专利]一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法

摘要

一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，上述方法包括如下步骤：S1：铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后，对铜粉进行预氧化处理；S2：预氧化处理结束，化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后，同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作；S3：生长结束后，对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法，简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺，提升了整体的工艺效率。并且，预氧化处理配合后期的还原及生长操作，减少了铜粉表面的成核点，使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大，通常能达到5～10微米，石墨烯的晶界和缺陷减少，石墨烯的品质得到了很大地提升。