[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室有效
| 申请号： | 202010573946.2 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111725106B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周坤玲 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：腔室本体、固定内衬及活动内衬；腔室本体的侧壁上开设有传片口；固定内衬设置于腔室本体内，且环绕侧壁设置，用于遮蔽侧壁，固定内衬上对应于传片口的位置设置有缺口；活动内衬设置于腔室本体内，活动内衬能相对于固定内衬移动以闭合或开启缺口。本申请实施例通过在腔室本体内增加内衬，隔离了等离子体和工艺腔室内壁，有效的解决了60兆赫频率的介质刻蚀设备的工艺腔室内壁被严重刻蚀的问题，而且无需在上电极组件上设置有升降机构，不仅有效降低上电极组件的重量，而且大幅降低工艺腔室开合盖的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 及其 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
